全球半導體龍頭台積電與設備商ASML近期發起合作，計畫將現行6吋光罩升級至12吋，以配合High NA EUV微影技術的發展。此舉旨在解決現有技術在大型晶片製造時需進行拼接的限制，進而提升生產效率並降低成本。目前，英特爾與三星電子已相繼響應此倡議，顯示全球三大先進製程業者皆投入此布局。這項轉變不僅涉及光罩尺寸的調整，更要求檢測、清洗、材料及自動化設備等供應鏈環節同步升級。台積電目標於2031年前建立試產線，並在2033年前完成微影系統準備，預期此技術將成為未來AI晶片與先進製程量產的關鍵基礎，標誌著半導體產業競爭已從單一設備延伸至整體生態系的整合。
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